O circuito da figura 1 pode ser usado como receptor para o bloco anterior. Seu sensor é um foto-diodo ou foto-transistor de qualquer tipo.
O transistor de efeito de campo de junção pode ser de qualquer tipo. Este circuito pode trabalhar com sinais modulados até algumas centenas de quilohertz.
Recursos ópticos devem ser usados para concentrar a radiação no foto-sensor e assim ser obtido maior alcance para o link.
Uma placa de circuito impresso para a montagem é mostrada na figura 2.
Q1 – BF245 ou equivalente – FET de junção (JFET)
FD – Foto-diodo ou foto-transistor
R1 – 100 k Ω x 1/8 W – resistor
R2 – 1 M Ω x 1/8 W – resistor
R3 – 10 k Ω x 1/8 W – resistor
C1 – 10 nF – capacitor cerâmico ou poliéster
C2 – 100 nF – capacitor cerâmico ou poliéster
Diversos:
Placa de circuito impresso, fios, solda, etc.
