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IRF6641

Um componente indicado pela International Rectifier (www.irf.com) para soluções de conectividade é o MOSFET de potência IRF6641, fornecido em invólucro MZ, conforme mostra a figura 1.

Invólucro MZ do IRF6641

(figura 1)

Esse componente combina a mais recente tecnologia de MOSFETs de potência HEXFET com o encapsulamento DirectFET de modo a se obter a menor resistência no estado de plena condução num invólucro.

Esse componente tem as seguintes Características:

Vdss = 200 Vmax

Vgs = 20 Vmax

Rds(on) = 51 mΩ (10 V)

Qg = 34 nC

Qgd = 9,5 nC

Vgs(th) = 4,0 V

Esse componente é otimizado para aplicações em topologias DC-DC tipo push-pull numa ampla faixa de aplicações com tensões de entrada de 36 a 75 V.

Na figura 2 temos as características de comutação com a resistência no estado de condução em função da tensão de comporta.

Curva das características do IRF6641

Os principais destaques desse componente são:

• Compliante RoHS
• Sem chumbo
• Otimizado para retificação sincronizada
• Baixas perdas de condução
• Compatível com as técnicas de montagem em superfície existentes.

Datasheet do IRF6641