Os transistores bipolares de porta isolada (IGBTs) modelo BID da Bourns combinam a tecnologia de uma porta MOSFET e um transistor bipolar e são projetados para aplicações de alta tensão/alta corrente. Os IGBTs Modelo BID usam a avançada tecnologia Trench-Gate Field-Stop para fornecer maior controle das características dinâmicas, resultando em uma menor tensão de saturação coletor-emissor e menos perdas de comutação. Os IGBTs apresentam uma faixa de temperatura operacional de -55°C a +150°C e estão disponíveis nos pacotes TO-252, TO-247 e TO-247N. Esses componentes termicamente eficientes fornecem uma resistência térmica mais baixa, tornando-os soluções IGBT adequadas para fontes de alimentação de modo de comutação (SMPS), fontes de alimentação ininterruptas (UPS) e aplicações de correção do fator de potência (PFC).
