O onsemi NTBG025N065SC1 MOSFET de Carbeto de Silício (SiC) é um MOSFET de 19mΩ, 650V alojado em um invólucro D2PAK-7L. Os SiC MOSFETs são projetados para serem rápidos e robustos. Os dispositivos oferecem uma força de campo de ruptura dielétrica 10 vezes maior e uma velocidade de saturação de elétrons 2 vezes maior. Os MOSFETs também oferecem gap de energia 3x maior e condutividade térmica 3x maior. Todos os MOSFETs onsemi SiC incluem opções qualificadas para AEC-Q101 e compatíveis com PPAP, especificamente projetadas e qualificadas para aplicações automotivas e industriais.
