Os diodos de barreira Schottky (SBDs) de carboneto de silício Bourns BSD (SiC) são projetados para aplicações de alta frequência e alta corrente que exigem maior capacidade de surto direto de pico, baixa queda de tensão direta, resistência térmica reduzida e baixa perda de energia. Esses componentes avançados de intervalo de banda larga ajudam a aumentar a confiabilidade, o desempenho de comutação e a eficiência em conversores DC-DC e AC-DC, fontes de alimentação de modo comutado, inversores fotovoltaicos, acionamentos de motores e outras aplicações de retificação. Os Bourns BSD SiC SBDs oferecem operação de tensão de 650 V a 1200 V com correntes na faixa de 6 A a 10 A. Esses dispositivos altamente eficientes também não apresentam corrente de recuperação reversa para reduzir EMI, permitindo que os SBDs de SiC reduzam significativamente as perdas de energia.
