Transistor de efeito de campo de canal para amplificadores de VHF e µHF.

 

Características:

VDS (V) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30 V

Plot . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300 mW

Idss . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 - 18 mA

lgss . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 nA

st . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4,5 mA/V

Crs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0,7 pF

F . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7,5 dB

Encapsulamento: SOT - 54(6)

 

 

BF256
BF256