Transistor Darlington de baixa potência - National Semiconductor.
Característica:
V(BR)CES ................... 30 V
ICBO ....................... 100 nA (tip)
hFE ........................ 10 000 (min)
fT ......................... 125 MHz
Transistor Darlington de baixa potência - National Semiconductor.
Característica:
V(BR)CES ................... 30 V
ICBO ....................... 100 nA (tip)
hFE ........................ 10 000 (min)
fT ......................... 125 MHz
