Os parâmetros foram desenvolvidos pelos fabricantes de transistores para indicar os valores dos seus elementos internos. Usando os parâmetros híbridos os circuitos com transistores podem ser calculados de forma mais simples. O circuito equivalente a tais parâmetros é mostrado na figura 1.

Definições:
Os parâmetros híbbridos do circuito mostrado acima são definidos da seguinte forma:
h11 impedância de entrada com a saída em curto.
h12 tensão de amplificação reversa com circuito aberto.
h21 corrente direta de amplificação em curto- circuito
h22 admitância de saída com entrada em circuito aberto
Fórmula 1
Impedância de entrada

Fórmula 2
Fator de amplificação reverso de tensão em circuito aberto.

Fórmula 3
Fator de amplificação direta em curto circuito (?)

Fórmula 4
Admitância de saída:

Onde : U1 é a tensão de entrada em volts (V)
U2 é a tensão de saída em volts (V)
I1 é a corrente de entrada em ampères (A)
I2 é a corrente de saída em ampères (A)
Fórmulas derivadas
Fórmula 5
Tensão de entrada

Fórmula 6
Corrente de saída:

Fórmula 7
Determinante h:
det h = h11 x h22 - h12 x h21
Onde: det h é o determinante formado pelos parâmetros híbridos indicados abaixo:

Tabela
Símbolos literais e abreviações para Transistores
(Aplicados às fórmulas de 1 a 7)
|
Símbolo |
Termo |
|
Det h |
Determinante h |
|
Gi |
Ganho de corrente |
|
Gv |
Ganho de tensão |
|
Gp |
Ganho de potência |
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h11 |
Impedância de entrada com saída em curto |
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h12 |
Fator de amplificação de tensão reversa em circuito aberto |
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h21 |
Fator de amplificação direta em curto |
|
h22 |
Admitância de saída com saída aberta |
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I1 |
Corrente de entrada |
|
I2 |
Corrente de saída |
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Ib |
Corrente de Base |
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Ic |
Corrente de Coletor |
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Ie |
Corrente de Emissor |
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RG |
Resistência do Gerador |
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RL |
Resistência de carga |
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U1 |
Tensão de entrada |
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U2 |
Tensão de saída |
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Ubc |
Tensão entre base e coletor |
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Ube |
Tensão entre base e emissor |
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Uce |
Tensao entre coletor e emissor |