Disponíveis na Mouser, os IGBTs Trinch IXYS XPT™ GenX5™ são desenvolvidos usando a tecnologia proprietária de pastilhas finas XPT e o processo IGBT de trincheira de 5ª geração (GenX5) de última geração. Esses dispositivos apresentam resistência térmica reduzida, baixas perdas de energia, comutação rápida, baixa corrente de cauda e altas densidades de corrente. Os IGBTs de trincheira XPT GenX5 têm áreas operacionais seguras de polarização reversa (RBSOA) quadradas e uma tensão de ruptura de 650 V, tornando-os ideais para aplicações de comutação rígida sem amortecimento. Esses IGBTs também incluem um coeficiente de temperatura de tensão positivo do coletor para o emissor, permitindo que os projetistas usem vários dispositivos em paralelo para atender aos requisitos de alta corrente. A baixa carga do gate desses dispositivos ajuda a reduzir os requisitos de drive do gate e as perdas de comutação. Os IGBTs de trincheira IXYS XPT GenX5 estão disponíveis em pacotes TO-220-3 (IXYP60N65A5) e TO-247-3 (IXYH90N65A5 e IXYH120N65A5) com uma ampla faixa de temperatura de junção de -55 ° C a + 175 ° C.
