Este circuito pode servir como etapa de entrada para projetos de controles remotos ou alarmes que envolvam infravermelho modulado.
O circuito é mostrado na figura 1 e o sensor pode ser um diodo silício de grande superfície e de que não se necessita de fonte de alta velocidade, sendo a sensibilidade ajustada no trimpot de circuito.
A fonte é uma simples é uma simples bateria de 9 V. O transistor de efeito de campo pode ser substituído por equivalentes, como o MPF102.
Figura 1 – Diagrama do aparelho
Q1 - BF245
R1 - 220 ohms
R2, R4, R7 - 22 K ohms
R3 - 1 M ohms
R5 - 560 K ohms
R6 - 1 k ohms
C1 - 220 uF x 16 V - eletrolítico
C2 - 5,6 nF - cerâmico ou poliéster
C3 - 100 nF - cerâmico ou poliéster
C4 - 22 uF x 16 V - eletrolítico
P1 - 10 K ohms
