MOSFETs

BIPOLAR

Dispositivo de portadores de carga majoritários

Dispositivo de portadores de carga minoritários

Não apresenta efeitos de armazenamento de cargas

Apresenta efeitos de armazenamento de cargas entre a base e o coletor

Alta velocidade de comutação, menos sensível à temperatura que os bipolares

Baixa velocidade de comutação, sensível à temperatura

Corrente de Drift (processo rápido)

Corrente de difusão (processo lento)

Excitado por tensão

Excitado por corrente

Impedância de entrada puramente capacitiva; não exige corrente DC

Baixa impedância de entrada; exige corrente DC

Circuito de excitação simples

Circuito de excitação completa devido à alta corrente de base exigida

Coeficiente de temperatura predominantemente negativo na resistência

Coeficiente de temperatura predominantemente positivo na corrente de coletor

Sem deriva térmica

Apresenta deriva térmica

Os dispositivos podem ser ligados em paralelo com algumas precauções

Os dispositivos não podem ser ligados em paralelo facilmente devido a problemas de casamento de Vbe e concentração local de correntes.

Menos susceptível à segunda barreira de ruptura

Susceptível à segunda barreira de ruptura

Característica I-V seguindo a lei do quadrado em baixas correntes, e característica I-V linear para altas correntes

Característica I-V exponencial

Operação linear maior e menos harmônicas

Maiores produtos de intermodulação e modulação cruzada

Baixa resistência no estado on (baixa tensão de saturação) devido a modulação de condutividade da região de alta condutividade

Alta resistência no estado on e portanto maiores perdas de condução

Corrente de dreno proporcional à largura do canal

Corrente de coletor aproximadamente proporcional ao comprimento da linha de emissor e sua área

Baixa transcondutância

Alta transcondutância

Alta tensão de ruptura devido a região levemente dopada da região de bloqueio do canal de dreno.

Alta tensão de ruptura devido a região levemente dopada da junção base-coletor.