Tecnologia CoolSIC da Infineon (COMD016)

Nesta seção em que destacamos componentes específicos, também focalizamos eventualmente novas tecnologias que podem resultar na disponibilidade de semicondutores de características inigualáveis em certas aplicações.

Assim, nesta seção destacaremos a tecnologia CoolSIC™ da Infieon que faz uso de um novo material para a fabricação dos dispositivos semicondutores.

Conforme o nome sugere, SiC é a fórmula geral para o Carboneto de Silício, também chamado de Carbeto de Silício. Trata-se da substância obtida pela união de átomos de carbono C) com o silício.

Não devemos confundir essa substância com o Carbonato de silício. A diferença está na terminação “eto” e “ato”, usada em química para diferentes substâncias. Na terminação “eto” não temos a presença do oxigênio nas moléculas e na terminação “ato” sim.

 

Figura 1 – Estrutura química do carboneto de silício
Figura 1 – Estrutura química do carboneto de silício

 

Mas, o fato relevante para elaboração deste artigo, baseado em documentação da Infineon é o uso da sua tecnologia CoolSiC que está levando a uma revolução na criação de novos dispositivos de potência.

O leitor pode acessar a documentação original da Infineon (em inglês) que serviu de base para a elaboração deste artigo em: https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-CoolSiC 

Além dos próprios diodos Schottky, que usando esta tecnologia resultam em componentes capazes de suportar correntes mais elevadas e também tensões inversas que chegam aos 1 2000 V, a ideia básica consiste na combinação de um diodo SiC com MOSFETs que podem levar a soluções híbridas de alto desempenho.

Com um dispositivo formado por esses dois componentes, podemos ter maiores frequências de comutação e menor volume dos componentes magnéticos.

Estudos da Infineon mostram que o uso desses componentes pode ter 1/3 do tamanho e ¼ do peso dos equivalentes com tecnologias semelhantes atualmente em uso. Evidentemente isso leva a um custo muito menor.

Na figura 2 temos um exemplo das vantagens desta tecnologia com suas possíveis vantagens.

 

Figura 2 – A tecnologia CoolSiC da Infineon
Figura 2 – A tecnologia CoolSiC da Infineon

 

Usando esta tecnologia, a Infineon possui uma ampla linha de componentes em duas principais famílias: diodos Schottky e Transistores MOSFETs de potência. Todos podem ser adquiridos através da Mouser Electronics (www.mouser.com).

 


 

 

 

Figura 3 – A linha de produtos CoolSiC™ da Infineon
Figura 3 – A linha de produtos CoolSiC™ da Infineon

 

 

Além deles, podemos destacar os circuitos integrados 1EDI EiceDRIVER™ Compact para disparo de transistores comutadores.

 

 

Para os MOSFETs temos diversas características importantes que oferecem vantagens no uso como:

  • - Menores capacitâncias
  • - Capacidade de comutação que independe da temperatura
  • - Diodo intrínseco com baixa carga de recuperação inversa
  • - Características livres de limiar na condição on

 

Benefícios:

  • - Maior eficiência
  • - Maior durabilidade
  • - Maior frequência de operação
  • - Maior densidade de potência

 

Para os diodos Schottky temos:

  • - Não há carga na recuperação inversa
  • - Comutação puramente capacitiva
  • - Alta temperatura de operação

 

Benefícios:

  • - Aumento da eficiência do sistema
  • - Menor necessidade de refrigeração
  • - Maior densidade de potência
  • - Redução da EMI

 

 

 


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N° do componente 

(Como usar este quadro de busca)

Opinião

Entrando em dezembro (OP207)

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