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SiA850 DJ - MosFET de Canal N Para 190 V com Diodo (COM071)

Esta informação técnica foi elaborada em 2009 tendo por base a documentação do próprio fabricante do componente. Antes de realizar algum projeto que o utilize, sugerimos consultar o fabricante sobre a sua disponibilidade no nosso mercado. A informação trata de um novo transistor de alta tensão recomendado para aplicações de controle.

A Vishay Intertechnology Inc (www.vishay.com) informa que o SiA850DJ é o primeiro dispositivo que tem como característica uma especificação de corrente em 1,8 V Vgs para aplicações de alta tensão. O novo dispositivo de canal N contém também o diodo interno e é fornecido em invólucro de apenas 2 mm x 2 mm. O invólucro PowerPAK SC-70 tem apenas 0,75 mm de altura. Aplicações típicas para este componente incluem conversores dc-dc tipo boost para motores piezoelétricos de alta tensão e iluminação traseira LED e OLED para equipamentos portáteis como telefones celulares, PDAs, MP3 Players e smart phones.

 

MOSFET e diodo no mesmo invólucro.
MOSFET e diodo no mesmo invólucro.

 

Integrando o MOSFET e o diodo no mesmo invólucro economiza-se pelo menos 13 da área na placa, e ao mesmo tempo reduz-se o custo da solução eliminando-se a necessidade de um diodo externo. Enquanto que dispositivos maiores apresentam uma baixa resistência de condução com tensões até 2,5 V, o SiA850DJ avcança 1,8 V. A resistência é de 17 ? com 1,8 V Vgs a 3,8 V e a tensão direta do diodo é de 1,2 V com 0,5 A. O SiA850DJ é totalmente livre de chumbo e está de acordo com a RoHS, atendendo assim a legislação internacional para a eliminação de substâncias perigosas.

 

 

Datasheet do SiA850

 

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N° do componente 

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