As tecnologias de semicondutores de potência estão evoluindo no sentido de serem usados materiais diferentes dos tradicionais silício e germânio. Um destaque é para a tecnologia do Carboneto de Silício ou Silicon Carbide, também designado pela sigla SIC. Neste artigo tratamos justamente de um componente que usa esta tecnologia.
Nosso produto destacado nesta seção é o diodo Schottky STPSC31H12C-Y da STMicroelectronics, disponibilizado pela Mouser Electronics através do link https://br.mouser.com/new/stmicroelectronics/stmicroelectronics-stpsc31h12c-y-diode/
Baseados em seu datasheet tratamos deste componente, ressaltando suas características que o tornam ideal para aplicações em fontes ressonantes (topologia LLC), além de outras com circuitos corretores de fator de potência (PFC), carregadores de bateria e estações de carga de bateria para veículos elétricos.
Disponível em invólucro TO-247, este componente usa um substrato de silicon carbide ou carboneto de silício, podendo assim apresentar características de uma tensão de condução muito baixa, e uma tensão máxima de operação até 1 200 V.
Uma das características mais importantes exigidas para aplicações em comutação rápida é o tempo de recuperação inversa, que é a passagem da condução para não condução quando ocorre a comutação. Neste diodo, esse tempo é desprezível.
Outra característica que merece destaque é a faixa de temperaturas de operação que vai de -40 a +175º C.
No invólucro indicado temos dois diodos ligados conforme mostra a figura 2.
Para este componente temos dois canais de 15 A conforme indicado pela tabela do datasheet que pode ser acessado em: https://br.mouser.com/datasheet/2/389/dm00702999-1862086.pdf
Na figura 3 temos um gráfico que mostra a queda de tensão em função da corrente direta de condução.
Outras informações importantes podem ser obtidas no datasheet. O link para compra na Mouser Electronics é: https://br.mouser.com/ProductDetail/STMicroelectronics/STPSC31H12CWY?qs=sPbYRqrBIVklQrQDhaP5nA%3D%3D
