O onsemi NTBG022N120M3S 1200V M3S Série SiC (Carbeto de Silício) MOSFET é otimizado para aplicações de comutação rápida e oferece uma baixa resistência de dreno para fonte de 22mΩ. Os MOSFETs SiC da Série M3S oferecem ótimo desempenho quando acionados com um drive de gate de 18V, mas também funcionam bem com drive de gate de 15V. Este dispositivo possui tecnologia planar, que funciona de forma confiável com um inversor de tensão de porta negativa e desliga picos na porta. O onsemi NTBG022N120M3S 1200V M3S Series SiC MOSFET está alojado em um pacote D2PAK-7L para baixa indutância de fonte comum.
