STMicroelectronics N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs são protegidos por Zener e 100% testados contra avalanches. Esses MOSFETs de potência apresentam tensão de ruptura mínima de dreno-fonte de 800 V, tensão de porta-fonte de ±30 V e faixa de temperatura de junção operacional de -55 °C a 150 °C. Os MDmesh K6 Power MOSFETs também apresentam inclinação de tensão de recuperação de diodo de pico de 5 V/ns, inclinação de corrente de recuperação de diodo de pico de 100 A/µs e robustez dv/dt MOSFET de 120 V/ns. As aplicações típicas incluem notebook e AIO, conversores flyback, adaptadores para tablets e iluminação LED.
