Os FETs GaN Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 de 100 V são dispositivos de uso geral, normalmente em modo off-e, que oferecem desempenho superior e baixíssima resistência no estado on. O GANE7R0-100CBA é um FET de nitreto de gálio (GaN) de 100 V e 7,0 mΩ em um encapsulamento em escala de chip em nível de wafer (WLCSP). O GANE2R7-100CBA é um FET de nitreto de gálio (GaN) de 100 V e 2,7 mΩ em um encapsulamento em escala de chip em nível de wafer (WLCSP). O GANE1R8-100QBA é um FET de nitreto de gálio (GaN) de 100 V e 1,8 mΩ em um encapsulamento quádruplo plano sem chumbo (VQFN) de perfil muito fino. Os FETs de GaN Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 de 100 V são ideais para conversão de alta densidade de potência e alta eficiência, amplificadores de áudio classe D, carregamento rápido de bateria e conversores CA para CC.
