Os MOSFETs SiC de Canal N de 750 V da ROHM Semiconductor podem aumentar a frequência de comutação, reduzindo assim o volume de capacitores, reatores e outros componentes necessários. Esses MOSFETs SiC estão disponíveis nos encapsulamentos TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA e TO-247-4L. Os dispositivos possuem resistência estática dreno-fonte no estado ligado [RDS(on)] (típico) de 13 mΩ a 65 mΩ e corrente contínua de dreno (ID) e fonte (IS) (TC = 25 °C) de 22 A a 120 A. Esses MOSFETs SiC de Canal N de 750 V da ROHM Semiconductor oferecem altas tensões de resistência, baixa resistência de ligação e características de comutação de alta velocidade, aproveitando os atributos exclusivos da tecnologia SiC.
