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Termos em inglês para os Sinais (ING052)

Quando analisamos uma forma de onda, deformações de todos os tipos, pontos especiais de referência, amplitudes e outras características precisam ser especificados. Para essa finalidade existe uma terminologia própria em inglês que os profissionais da eletrônica precisam conhecer, principalmente os que estão diretamente ligados à trabalhos em telecomunicações. É justamente dessa terminologia que vamos tratar nesta seção.

Uma corrente ou tensão num circuito que varia de intensidade de forma periódica com o tempo é um sinal. Os sinais podem ter as mais diversas formas de onda e isso nos leva à necessidade de especificar suas características tendo em conta pontos especiais de sua forma.

Assim, para o profissional da eletrônica é muito importante saber o que significa uma especificação referente a um sinal, pois ela pode significar procedimentos de projeto ou mesmo de manutenção específicos.

Para mostrar as principais características de um sinal tomamos como exemplo um texto técnico em que termos e definições para transistores de potência (terms and definitions - power transistor) são analisados. Esse texto se encontra no "The Power Semiconductor Data Book" da Texas Instruments.

Partimos então da figura 1 em que as diversas especificações de um sinal são mostrados.

 

Figura 1
Figura 1

 

Vamos analisá-los um a um, de modo que fiquem bem claros para os leitor os termos em inglês usados. Um pequeno vocabulário será dado antes:

 

Vocabulário:

Root Mean Square Value - Valor Médio Quadrático (rms)

Alternating Current - Corrente alternada

Peak - Pico

Instantaneous - Instantâneo

 

Assim, observamos na forma de onda da figura 1 os seguintes valores:

 

a) Root Mean Square Value of Alternating Current - Valor médio quadrático da corrente alternada (rms). Esse valor dado por

 

Vrms = 0,707 = raiz(2)/2

 

Observe que esse termos pode ser aplicado tanto à tensões como também à correntes.

 

b) Maximum (Peak) Value of Alternating Current - Valor máximo (pico) de uma corrente alternada. Esse termo também pode ser aplicado tanto à correntes como tensões.

 

c) DC Value - no alternating current - Valor DC - nenhuma corrente alternada. É a componente contínua do sinal que pode ou não estar presente.

d) With alternating current - com corrente alternada - é o sinal com a componente DC mais a componente alternada.

 

Um outro termo que aparece nas especificações de transistores é a freqûência de transição ou transition frequency abreviada por fT. O seguinte texto fornece a definição desse termo:

 

"Transition Frequency - the product of the modulus (magnitude) of the common-emitter small-signal short-circuit forward current transfer ratio, hfe, and the frequency of measurement when this frequency is sufficiently high so that the modulus (magnitude) of hfe is decreasing with a slope of approximately 6 db per octave"- The Power Semiconductor Data Book - Texas Instruments.

 

Vocabulário:

Transition - transição

Modulus - módulo, intensidade, valor absoluto

Forward - direta

Ratio - relação

Measurement - medida

Decreasing - decrescendo

Slope - inclinação

 

Observe em primeiro lugar o uso do hífen em palavras compostas como emissor comum (common-emitter), curto-circuito (short-circuit) e pequeno sinal (small-sgnal).

A definição pode ser simplificada dizendo-se simplesmente que a freqüência de transição é aquela em que o ganho do transistor cai abaixo da unidade (menor que 1).

Outro ponto importante que o leitor deve observar nesse texto é que o ganho de um transistor ou "beta" é dado com letras minúsculas (hfe).

Usamos hFE para ganho estático que é o ganho que o transistor apresenta quando amplificando uma corrente contínua. O termo hfe refere-se ao ganho dinâmico do transistor.

Podemos então traduzir o texto acima da seguinte forma:

 

"Freqüência de transição - o produto do módulo (intensidade) da relação de transferência na configuração de emissor comum para sinais de pequena intensidade em curto-circuito, hfe, e a freqüência da medida, quando essa freqüência é suficientemente alta tal que o módulo (magnitude) de hfe decresça com uma rampa de aproximadamente 6 dB por oitava".

 

Acrônimos

BJT - Bipolar Junction Transistor - Transistor Bipolar de Junção

CCD - Charged-Coupled Device - Dispositivo Acoplado por Carga

CMOS - Complementatry Metal-Oxide Semiconductor - Semiconductor Complementar de Metal-Óxido

CRT - Cathode Ray Tube - Tubo de raios catódicos

FET - Field Effect Transistor - Transistor de efeito de campo

I2K - Integrated-Injection Logic - Lógica por Injeção integrada

IC - Integrated Circuit - Circuito integrado

IGFET - Insulated-Gate Field Effect Transistor - Transistor de efeito de campo de comporta isolada

JFET - Junction FET - Transistor de efeito de campo de junção

LED - Light-Emitting Diode - Diodo emissor de luz

LSI - Large-Scale Integration - Integração de larga escala

MISFET - Metal-Insulator-Semiconductor FET - FET de semiconductor metal-isolador.

MOS - Metal-Oxide Semiconductor - Semiconductor de metal-óxido

MOST - Metal-Oxide Transistor - Transistor de Metal-Öxido

SCR - Silicon Controlled Rectifier - Retificador (diodo) controlado de silício

SOS - Silicon-on-Saphira - SIlicio sobre safira

UJT - Unijunction Transistor - Transistor unijunção

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