Híbridos BJT/MOSFET (COM089)

Este artigo foi publicado anteriormente com base em documentação de 2005, fornecida pelo próprio fabricante do componente. Assim, antes de elaborar um projeto que o utilize que se verifique sua disponibilidade em nosso mercado e se existem equivalentes mais modernos de melhor desempenho

A ST Microclectronics apresentou novos componentes híbridos de BJT com MOSFETs os quais são indicados para aplicações como controles industriais trifásicos, fontes de alimentação auxiliares, conversores eles consistem em bipolar transistores com comutação híbrida por emissor (ESBT) tendo ainda características ideais para aplicações em controles de potência.

Esses novos componentes possuem uma baixa queda de tensão no sentido direto, velocidade elevada de comutação e uma capacidade de operar com tensões de até 1,7 kV.

Esses novos componentes resolvem o dilema do projetista em escolher entre um MOSFET e um transistor bipolar, pois combina os dois tipos de componentes numa configuração em cascata num invólucro único.

Os novos componentes, denominados STC03DEI70, STC05DE150 e STC08DEI150 têm tensões de ruptura de 1,7 kV, 1,5 kV e 1,5 kV respectivamente, e resistências de conduções, na mesma ordem, de 0,55, 0,17 e 0,11 ?.

Todos os três dispositivos possuem VCS(on) de 0,9 V o que minimiza as perdas de condução na ausência de correntes.

Os dispositivos são fornecidos em invólucros TO-247 com um pino lateral de coletor de modo a aumentar a distância entre os pontos de alta e baixa tensão. Na figura o símbolo e o circuito equivalente.

 

Símbolo e circuito equivalente.
Símbolo e circuito equivalente.

 

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