Os MOSFETs de Potência OptiMOS™ 6 de 150 V da Infineon Technologies apresentam baixo RDS(on) líder do setor, desempenho de comutação aprimorado e excelente comportamento contra interferência eletromagnética (EMI), o que contribui para eficiência, densidade de potência e confiabilidade incomparáveis. A tecnologia OptiMOS 6 oferece melhorias significativas em relação ao seu antecessor, o OptiMOS 5, incluindo até 41% menos RDS(on), 20% menos FOMg e 17% menos FOMgd. Além disso, esses MOSFETs apresentam alta robustez contra avalanches e uma temperatura máxima de junção de +175 °C, garantindo uma operação robusta e estável em ambientes exigentes. Com um amplo portfólio de encapsulamentos, os MOSFETs de Potência OptiMOS™ 6 de 150 V da Infineon são projetados para atender aos rigorosos requisitos de aplicações de alta e baixa frequência de comutação, proporcionando maior confiabilidade do sistema e uma vida útil mais longa.
