Um componente discreto que está passando por uma rápida evolução é o MOSFET de carboneto de silício. Com uma ampla gama de aplicações de potência, esse componente tem a cada dia suas características melhoradas encontrando assim novas gamas de aplicações. O MOSFET que destacamos neste artigo é um exemplo. Preparamos o artigo com base em documentação da Mouser Electronics e do próprio fabricante.
Os MOSFETs de Potência de Carboneto de Silício de Grau Automotivo da STMicroelectronics são desenvolvidos utilizando a avançada e inovadora tecnologia SiC MOSFET de 2ª/3ª geração da ST. Os dispositivos apresentam baixa resistência por unidade de área e excelente desempenho de comutação. Os MOSFETs apresentam capacidade de temperatura de operação muito alta (TJ = +200°C) e um diodo de corpo intrínseco muito rápido e robusto.
CARACTERÍSTICAS
- Qualificação AEC-Q101
- Capacidade de temperatura de operação muito alta (TJ = +200°C)
- Diodo de corpo intrínseco muito rápido e robusto
- Baixa capacitância
APLICAÇÕES
- Tração para inversores
- Conversores CC-CC para EV/HEV
- Carregadores de Bordo (OBCs)
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