O MOSFET PowerTrench® onsemi NTTFSSCH1D3N04XL T10 foi projetado para lidar com altas correntes, o que é crucial para estágios de conversão de energia CC-CC. Este MOSFET de potência de canal N único de 40 V, 207 A oferece menor resistência de ativação, maior densidade de potência e desempenho térmico superior. O design de trincheira de porta blindada fornece uma carga de porta ultrabaixa e RDS(on) de 1,3 mΩ. O encapsulamento compacto GEN2 de resfriamento duplo com fonte descendente de 3,3 mm x 3,3 mm é isento de chumbo, halogênio, BFR e compatível com RoHS. O MOSFET PowerTrench onsemi NTTFSSCH1D3N04XL T10 foi projetado para fornecer uma solução eficiente para aplicações em data center e nuvem.
