Se você está procurando um MOSFET para seu projeto de potência, veja este componente. Os MOSFETs de Carboneto de Silício (SiC) IXYS IXSxNxL2Kx possuem alta tensão de bloqueio com baixa resistência no estado ligado [RDS(ON)]. A resistência no estado ligado está entre 25 mΩ e 160 mΩ, e a corrente de dreno contínua (ID) está entre 20 A e 111 A. Esses dispositivos oferecem comutação de alta velocidade com baixa capacitância e possuem um diodo de corpo intrínseco ultrarrápido. Estão disponíveis com tensão dreno-fonte (VDSS) de 650 V ou 1200 V. Os MOSFETs de Carboneto de Silício (SiC) IXYS IXSxNxL2Kx são oferecidos em três encapsulamentos (TO-263-7L, TOLL-8 e TO-247-4L).
