O Qorvo QPD2560L 300W GaN/SiC HEMT é um transistor de alta mobilidade de elétrons (HEMT) GaN-on-SiC de alta potência, projetado para aplicações exigentes na banda L, operando na faixa de frequência de 1,0 GHz a 1,5 GHz. Projetado para oferecer desempenho robusto de RF, o Qorvo QPD2560L fornece até 55,4 dBm de potência de saída saturada, 15 dB de ganho de sinal grande e 65% de eficiência de dreno, tornando o HEMT adequado tanto para operação CW quanto pulsada. O dispositivo apresenta uma entrada pré-casada internamente para simplificar os requisitos de casamento externo e reduzir o espaço na placa, enquanto a saída permanece não casada para maior flexibilidade de projeto. Alojado em um robusto encapsulamento de cavidade de ar padrão da indústria NI 650, o QPD2560L é otimizado para radares militares e civis de banda L, guerra eletrônica, comunicações profissionais, aplicações ISM e amplificadores de alta potência de banda larga/estreita. A capacidade de pulso longo e a alta robustez térmica do dispositivo aumentam ainda mais sua adequação para sistemas de RF de missão crítica.
