Os indutores de potência de bobina em chip Murata DFE21CCNxEL apresentam um aumento de 20% na corrente de saturação (ISAT) e uma redução de 50% na resistência CC (RDC) em relação aos modelos anteriores. Esses parâmetros ajudam a aumentar os níveis de eficiência operacional e permitem o downsizing dos projetos do sistema. Os eletrodos em forma de L permitem que esses componentes atinjam níveis de densidade consideravelmente mais altos. Os indutores de potência de bobina de chip Murata DFE21CCNxEL estão disponíveis em um tamanho de invólucro 0805. Esses componentes são projetados para uso em smartphones 5G, conversores DC/DC e circuitos de gerenciamento de energia.
