O MOSFET de Modo de Aprimoramento de Canal N DMN1057UCA3 da Diodes Incorporated foi projetado para minimizar a resistência no estado ligado (RDS(ON)) e é ideal para aplicações de gerenciamento de energia de alta eficiência. Este MOSFET apresenta baixa carga de porta e baixa carga de porta para dreno para um desempenho de comutação rápido. O MOSFET DMN1057UCA3 apresenta um design compacto e ultrafino com uma altura de apenas 0,26 mm, tornando-o ideal para aplicações com espaço limitado. Este MOSFET oferece dissipação de potência de até 1,81 W e resistência térmica de até 198,6 °C/W. O MOSFET de canal N DMN1057UCA3 é usado em gerenciamento de baterias, comutações de carga e aplicações de proteção de baterias.
