Os MOSFETs PANJIT PSMxN08NS1 Canal N Enhancement Mode utilizam a tecnologia Trench para melhorar as características do produto. Esses MOSFETs apresentam baixa resistência fonte-dreno e tensão de fonte de dreno de 80V. Os MOSFETs PSMxN08NS1 são 100% testados para avalanche, 100% testados para Rg e sem chumbo em conformidade com a EU RoHS 2.0. Esses MOSFETs são ideais para uso em sistemas de gerenciamento de bateria (BMSs), motores Brushless Direct Current (BLDC), SMPS e sistemas de alimentação de telecomunicações.
