Diodes Incorporated O Transistor de Avalanche de Baixa Tensão FMMT411FDBWQ é um transistor bipolar planar de silício projetado para operar no modo de avalanche. O controle rígido do processo e o encapsulamento de baixa indutância produzem pulsos de alta corrente com bordas rápidas. Este transistor de junção bipolar (BJT) de diodos incorporados foi projetado para atender aos requisitos rigorosos de aplicações automotivas.
